在掃描電鏡（SEM）中觀察裂紋是一項常見而重要的分析手段，用于判斷材料的斷裂機理、疲勞損傷、涂層失效或微觀結構缺陷。要準確地在 SEM 圖像中識別并分析裂紋，需要從樣品制備、觀察條件和信號特征三個方面入手。

首先，樣品制備是關鍵。裂紋通常出現在斷口、表面缺陷或界面層中，因此樣品須干凈、并具有良好的導電性。如果樣品是非導電材料，如陶瓷、高分子或復合材料，可以在表面噴鍍一層金、鉑或碳膜，以避免電荷積聚導致圖像模糊。對于斷裂樣品，應保持斷面原貌，避免拋光或清洗破壞微觀裂紋形態。

其次，選擇合適的成像模式與參數。在低倍時（幾十倍到幾百倍），可以先觀察裂紋的整體分布和走向；在高倍時（上千倍到上萬倍），則可查看裂紋的細節，如裂尖形狀、分支、二次裂紋等。通常使用二次電子（SE）成像模式，因為它對表面形貌非常敏感，能清晰顯示裂紋邊緣和斷層起伏。如果需要分析裂紋內部的相組成或元素變化，則可切換到背散射電子（BSE）模式或配合能譜（EDS）分析。

第三，裂紋的識別特征。在 SEM 圖像中，裂紋通常表現為深色或黑色線狀結構，因為其內部是空隙或凹陷，電子信號較弱。沿裂紋邊緣常能看到明顯的亮邊，這是由于邊緣傾斜角度不同，電子發射增強造成的。若裂紋貫穿涂層或基體，可能會出現不同材料間的對比差異。對于疲勞裂紋，還可以看到周期性條紋、分支裂紋或臺階結構。

此外，為避免誤判，應注意區分裂紋與劃痕、制樣痕跡或污染線。裂紋通常具有連續性、貫穿性和明確的深度變化，而表面劃痕多為淺表且方向一致。通過調節樣品傾角或電子束入射方向，可以更直觀地確認裂紋的立體特征。