掃描電鏡低真空模式適合哪些樣品
掃描電鏡(SEM)低真空模式適用于不導(dǎo)電或弱導(dǎo)電樣品、易充電材料以及含水或易揮發(fā)物質(zhì)的樣品。
MORE INFO → 行業(yè)動(dòng)態(tài) 2026-03-06
掃描電鏡(SEM)低真空模式適用于不導(dǎo)電或弱導(dǎo)電樣品、易充電材料以及含水或易揮發(fā)物質(zhì)的樣品。
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電子束光刻機(jī)的曝光過(guò)程,是將電子束按照設(shè)計(jì)圖形在光刻膠上精確掃描,使光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而形成微納結(jié)構(gòu)的過(guò)程。
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電子束光刻機(jī)?在工作過(guò)程中需要對(duì)電子束進(jìn)行聚焦,這是為了獲得足夠高的分辨率和精確的圖形寫(xiě)入能力。電子束在從電子槍發(fā)射出來(lái)后會(huì)逐漸發(fā)散,如果不經(jīng)過(guò)電磁透鏡系統(tǒng)進(jìn)行聚焦,電子束直徑會(huì)變大,在光刻膠表面形成較大的曝光區(qū)域,從而降低圖形精度。
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當(dāng)掃描電鏡樣品尺寸過(guò)大時(shí),固定樣品的關(guān)鍵是確保穩(wěn)定、導(dǎo)電和安全,避免震動(dòng)、位移或接觸不良。
MORE INFO → 行業(yè)動(dòng)態(tài) 2026-03-04
電子束光刻機(jī)的圖形縮放比例校準(zhǔn),本質(zhì)是校正掃描偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的“實(shí)際位移增益”,讓電子束在基底上的真實(shí)偏轉(zhuǎn)距離與設(shè)計(jì)坐標(biāo)完全一致。
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電子束光刻機(jī)對(duì)基底導(dǎo)電性有一定要求,尤其是在高分辨率加工和高電壓曝光條件下更為明顯。
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電子束光刻機(jī)?的電子槍類(lèi)型決定了束流亮度、穩(wěn)定性、束斑尺寸和維護(hù)周期。常見(jiàn)電子槍類(lèi)型主要有以下幾種。
MORE INFO → 行業(yè)動(dòng)態(tài) 2026-03-02
電子束光刻機(jī)?的掃描方式取決于設(shè)備架構(gòu)和控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)。常見(jiàn)掃描方式主要包括以下幾類(lèi)。
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