掃描電鏡（SEM）的掃描速度對(duì)成像質(zhì)量有非常重要的影響，它會(huì)直接決定圖像的清晰度、噪聲水平、對(duì)比度以及成像時(shí)間。下面是詳細(xì)解釋?zhuān)?/span>

一、掃描速度快的影響（短駐留時(shí)間）

當(dāng)掃描速度較快（也就是電子束在每個(gè)像素上的駐留時(shí)間很短）時(shí)：

1. 圖像信噪比較低

電子束每個(gè)像素只激發(fā)出較少的二次電子/背散射電子 → 電子信號(hào)較弱

信號(hào)電流低，圖像中噪聲增多，顆粒感強(qiáng)

2. 圖像模糊或?qū)Ρ榷炔?/span>

由于信號(hào)不充分，細(xì)節(jié)邊緣模糊，輪廓不清晰

易出現(xiàn)“漂移”或“條紋”偽影，特別是樣品不穩(wěn)定時(shí)

3. 優(yōu)點(diǎn)：成像速度快

適合快速預(yù)覽、尋找感興趣區(qū)域、對(duì)焦調(diào)節(jié)

二、掃描速度慢的影響（長(zhǎng)駐留時(shí)間）

當(dāng)掃描速度較慢（電子束在每個(gè)像素上停留更久）時(shí)：

1. 圖像更清晰

激發(fā)出的電子更多 → 信號(hào)更強(qiáng)，圖像更銳利、邊緣更清楚

2. 噪聲更少

信噪比高，圖像更平滑、顆粒感低，對(duì)比度好

3. 缺點(diǎn)：成像時(shí)間長(zhǎng)

整幅圖像采集時(shí)間變長(zhǎng)，樣品更容易受：

熱漂移（特別是納米尺度）

充電效應(yīng)（非導(dǎo)電樣品）

機(jī)械漂移或電子束漂移